Giai đoạn 1: Chuẩn bị sơ bộ
Chấp nhận vật chất
Bảng trần PCB: Kiểm tra tính toàn vẹn của mặt nạ hàn và độ dày đồng lỗ (lớn hơn hoặc bằng 25μm).
Hàn dán: Kiểm tra độ nhớt (800-1200 kcps), làm lạnh và làm nóng trong 4 giờ.
Lựa chọn lưới thép
Laser cắt lưới thép không gỉ, kích thước mở=Khu vực pad × 90%.
Giai đoạn 2: Quy trình SMT
Hàn dán dán
Góc cạo 60 độ, tốc độ 20-80 mm/s, áp lực 5-15 kg.
SPI (chất kiểm tra dán hàn) đo độ dày/diện tích/thể tích, CPK lớn hơn hoặc bằng 1,33.
Bản vá
Máy vá chính xác cao (± 0. Độ chính xác 025mm), tốc độ vị trí thành phần 0402 lớn hơn hoặc bằng 30, 000 cph.
Reflowering
Đường cong nhiệt độ điển hình: làm nóng trước (1-3 độ /s) → nhiệt độ không đổi (150-180 độ, 60-90 s) → reflow (trên 220 độ, 40-60 s).
Giai đoạn 3: Quá trình tht
Cài đặt thành phần bổ trợ
Góc hình thành góc {{0}} độ, tỷ lệ cắt 0. 5-1. 5 mm.
Hàn sóng
Thiết kế sóng kép: sóng spoiler (nhiễu loạn cao) → sóng phẳng (lấp đầy các khớp hàn).
Nhiệt độ hàn 245-260 độ, thời gian liên hệ 3-5 giây.
Giai đoạn 4: Kiểm tra và kiểm tra
Kiểm tra AOI
Các mục kiểm tra: các bộ phận bị thiếu, phân cực ngược, hình dạng hàn (sử dụng hình ảnh đa phổ RGB+IR).
Kiểm tra tia X.
Tốc độ khoảng trống BGA nhỏ hơn hoặc bằng 25%, phân tích tính toàn vẹn hàn pin QFN.
Kiểm tra chức năng (CNTT/FCT)
Phạm vi kiểm tra CNTT lớn hơn hoặc bằng 85%, FCT mô phỏng các điều kiện làm việc thực tế.
Giai đoạn 5: xử lý hậu kỳ
Làm sạch
Làm sạch dựa trên nước (đối với dư lượng hàn không làm sạch), ô nhiễm ion nhỏ hơn hoặc bằng 1,56ug/cm² NaCl tương đương.
Lớp phủ Tri-Conformal
Phun độ dày 20-50 μm, sau khi bảo dưỡng, vượt qua IPC-CC -830 b Kiểm tra tiêu chuẩn.
Hiện tượng Tombstone
Lý do: Thiết kế pad không đối xứng/độ dốc nhiệt độ quá mức.
Biện pháp biện pháp đối phó: Tối ưu hóa đối xứng PAD và giảm tốc độ làm nóng trước.
Khớp hàn kém
Lý do: Không đủ hàn hoạt động/oxy hóa.
Biện pháp biện pháp đối phó: Kiểm soát thời gian sử dụng của dán hàn (sử dụng nó trong vòng 8 giờ sau khi mở).
Hạt hàn
Reason: The heating slope is too high (>3 độ /s).
Đối phó: Điều chỉnh độ dốc làm nóng trước 1-2 độ /s.
